近期，存储芯片大厂三星、SK海力士、美光公司等陆续控制产能、酝酿提价，受到业界关注。

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多位业内人士在接受《证券日报》记者采访时表示，存储芯片价格下行周期一般为1年至2年，本轮存储芯片价格下行自2021年年中开始，结合各大厂自去年下半年起陆续下调产能计划，存储芯片下行周期逐渐走向尾声。

信息技术高速发展带来数据存储需求不断增长，未来存储芯片市场空间广阔，在行业周期触底之际，A股上市公司竞相布局存储芯片赛道。一方面，加快技术升级提升竞争力，另一方面，积极开拓市场增加市场份额，紧抓行业复苏机遇。

海外巨头减产酝酿涨价

全球半导体存储芯片以非线性宏单元模式存储器（NAND Flash）和动态随机存取存储器（DRAM）为主，二者市场规模占整个半导体存储芯片市场比例达到95%以上。继今年7月份海外厂商三星、SK海力士等先后传出计划在下一季拉动DRAM价格上涨后，近日，NAND Flash市场也出现合约价上调信号。

根据调研机构集邦咨询发布的报告，近期有NAND Flash原厂成功拉涨Wafer合约价，NANDFlash现货市场出现短期涨势，部分品类出现较积极询价需求。产能方面，2022年四季度起，铠侠、美光公司率先启动减产，三星今年二季度跟进。

集邦咨询分析师林大翔向《证券日报》记者表示：“由于卖方目前握有NAND Flash产品涨价的主导权，短期内市场价格将有所波动。今年四季度韩国厂商仍将加大NAND Flash减产规模，来稳定价格，但对照实际终端需求，买方仍保守甚至偏悲观看待后续需求展望，即便采购价格被迫提高，仍难刺激订单量上升，所以本次现货市场价格涨势能否延续仍待观察。”

9月8日，《证券日报》记者来到深圳华强北市场走访，在多家电子元器件商家处看到，采购商并不多。经销商黄先生向《证券日报》记者表示：“存储芯片从2021年价格高点下跌以后，市场需求还没有明显回升，经销商大部分不愿囤货，以消化库存为主。整体价格处于底部横盘，但部分型号由于缺货价格相对较高。”

对于NAND Flash模组价格上涨带来的影响，佰维存储方面近日在半导体行业2023年半年度业绩说明会上表示：“近期，上游原厂正在逐步提高晶圆及颗粒售价，但下游需求仍然疲软，公司将密切关注行情后续走势，如果价格持续复苏，将有利于公司的业绩。”据了解，在库存策略上，佰维存储在周期低点加强战略备库，为行业复苏积极准备。

上市公司加速拓展市场

目前全球主要的NAND Flash厂商为三星、铠侠、西部数据、SK海力士等，DRAM主要厂商为三星、SK海力士等。我国存储芯片厂商目前所占市场份额较低。在全球存储芯片周期低谷之中，多家A股上市公司逆势布局，通过并购、定增等提升竞争力。

9月6日，江波龙披露拟购买力成科技（苏州）有限公司70%股权事项进展。本次交易完成后，江波龙将通过控制及实际运营力成科技（苏州）有限公司新增存储芯片封装测试等业务，补足公司封装测试的生产能力，完善产业链布局。今年6月份，江波龙还宣布拟购买SMART Brazil及其子公司81%股权，进一步拓展当地市场。

江波龙近日在业绩说明会上表示：“今年上半年公司业绩有所承压，但实际上从全球市场份额来看，公司市占率反而有所提升。未来，公司将聚焦于存储产业，不断提升公司的市场影响力和核心竞争力，进一步提升经营管理水平，增强公司的长期盈利能力。”

今年7月份，佰维存储披露定增预案，拟募资不超过45亿元，用于惠州佰维先进封测及存储器制造基地扩产建设项目、晶圆级先进封测制造项目、研发中心升级建设项目、补充流动资金。

佰维存储方面表示：“本次定增将提升公司的存储器封测产能并构建晶圆级封测能力。当前，国产存储产业链属于发展初期，挑战与机遇并存，公司此次定增有助于把握行业发展的历史性机遇。”

深科技方面近日在接受机构调研时表示：“公司认为随着先进封装技术壁垒不断提高，率先拥有先进封装技术和产能储备的封测企业将有望通过技术和规模壁垒取得行业领先优势。在存储半导体领域，公司将紧跟存储半导体行业市场和国内外客户需求，继续加快扩充优质产能，通过优化产品结构发展新业务，进一步拓宽业务布局。”